TPC8208 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TPC8208 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC8208

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOP8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TPC8208 datasheet

..1. Size:215K toshiba
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TPC8208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 38 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.3 S (typ.) Low leakage curre

8.1. Size:300K toshiba
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TPC8209 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPC8209 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 10 S (typ.) fs Low leakage current

8.2. Size:219K toshiba
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TPC8206 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8206 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 40 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 7.0 S (typ.) fs Low leakage c

8.3. Size:288K toshiba
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