TPC8208 Todos los transistores

 

TPC8208 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPC8208
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de TPC8208 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TPC8208 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba
 tpc8208.pdf pdf_icon

TPC8208

TPC8208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 38 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.3 S (typ.) Low leakage curre

 8.1. Size:300K  toshiba
 tpc8209.pdf pdf_icon

TPC8208

TPC8209 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPC8209 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.) fs Low leakage current:

 8.2. Size:219K  toshiba
 tpc8206.pdf pdf_icon

TPC8208

TPC8206 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8206 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 40 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 7.0 S (typ.) fs Low leakage c

 8.3. Size:288K  toshiba
 tpc8203.pdf pdf_icon

TPC8208

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TPC8117 , TPC8118 , TPC8119 , TPC8121 , TPC8122 , TPC8203 , TPC8206 , TPC8207 , 4435 , TPC8209 , TPC8210 , TPC8211 , TPC8212-H , TPC8213-H , TPC8214-H , TPC8216-H , TPC8218-H .

 

 
Back to Top

 


 
.