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2SJ105 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ105
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.014 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 270 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI
 

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Principales características: 2SJ105

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2SJ105

2SJ105 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ105 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (ON) DSS Complimentary to 2SK330 S

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2SJ105

2SJ106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ106 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (O

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2SJ105

2SJ108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ108 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit mm Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head amplifiers. High Y Y = 22 mS (typ.) fs fs (V = -10 V, V = 0, I = -3 mA) DS GS DSS Low noise En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz) DS D High i

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2SJ105

2SJ104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ104 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High input impedance IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R = 40 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DSS Complimentary to 2SK364 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbo

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