2SK118 Todos los transistores

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2SK118 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK118

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.0065 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 800 Ohm

Empaquetado / Estuche: MINI

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2SK118 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk118.pdf Size:307K _toshiba

2SK118
2SK118

2SK118 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK118 General Purpose and Impedance Converter and Unit: mm Condenser Microphone Applications • High breakdown voltage: VGDS = -50 V • High input impedance: I = -1 nA (max) (V = -30 V) GSS GS • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 k?, f = 120 Hz) G • Small package Maximum Ratings (Ta = = 25°

1.2. 2sk1181.pdf Size:30K _no

2SK118

2SK1181 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25?C) (Ta = 25?C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 500 V V 500 V I = 250A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 20 V I 500 nA V = 20V GSS GSS GS I 13 A I 250 A V = 500V, V = 0V D DSS DS GS I 52 (Tch 150?C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250A D (pulse) TH D

 1.3. 2sk1185.pdf Size:37K _no

2SK118

2SK1185 External dimensions 1 ...... FM20 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 100 V V 100 V I = 250µA, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V ±20 V I ±500 nA V = ±20V GSS GSS GS I ±5I 250 µA V = 100V, V = 0V D A DSS DS GS I ±20 (Tch 150ºC) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250µA D (

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