2SK1875 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1875
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.032 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 67 Ohm
Paquete / Cubierta: USM SC70
Búsqueda de reemplazo de 2SK1875 MOSFET
2SK1875 Datasheet (PDF)
2sk1875.pdf
2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage
2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf
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History: 2SK1384R | TMP4N60H | BSC016N03LSG | AP18P10GM | RUH120N90R | STD30PF03
History: 2SK1384R | TMP4N60H | BSC016N03LSG | AP18P10GM | RUH120N90R | STD30PF03
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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