2SK2329L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2329L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: DPAK

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2SK2329L datasheet

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2SK2329L

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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2SK2329L

2SK2329(L), 2SK2329(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G1008-0200 (Previous ADE-208-1356) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source Suitable for Switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package co

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2SK2329L

2SK2329 L , 2SK2329 S Silicon N Channel MOS FET Application DPAK-2 High speed power switching 4 4 Features 12 3 Low on resistance High speed switching 2, 4 12 Low drive current 3 2.5 V gate drive device can be driven from 1 3 V source 1. Gate Suitable for Switching regulator, DC DC 2. Drain converter 3. Source 4. Drain 3 Table 1 Absolute Maxim

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