BUP60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUP60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO3
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BUP60 datasheet
bup603d.pdf
BUP 603D IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 603D 600V 42A TO-218 AB Q67040-A4230-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 600 V Collector-gate
bup602d.pdf
BUP 602D IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 602D 600V 36A TO-218 AB Q67040-A4229-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 600 V Collector-gate
bup604.pdf
BUP 604 IGBT Preliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 604 600V 80A TO-218 AB Q67040-A4231-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 600 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 600 Gate-emi
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History: BUK9518-55 | BUK9880-55 | BUK9830-30
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