H7N0308AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H7N0308AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H7N0308AB

H7N0308AB Datasheet (PDF)

0.1. Size:94K renesas
rej03g1122 h7n0308abds.pdf

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7.1. Size:107K renesas
rej03g1124 h7n0308ldlslmds.pdf

7.2. Size:1500K cn vbsemi
h7n0308cf.pdf

H7N0308CFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.005 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ingTO-220 FULLPAK D Server DC/DCGSSDGN-Channel MOSFETTop Vi

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