BUZ10A Todos los transistores

 

BUZ10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M
 

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BUZ10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  st
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BUZ10A

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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BUZ10A

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ10AFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application150 operating temperatureMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL AR

 9.1. Size:286K  st
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BUZ10A

BUZ10N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220STripFET MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ10 50 V

 9.2. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

BUZ10A

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

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