BUZ11A Todos los transistores

 

BUZ11A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ11A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 900 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ11A

 

BUZ11A Datasheet (PDF)

1.1. buz11al.pdf Size:332K _update_mosfet

BUZ11A
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1.2. buz11a.pdf Size:116K _st

BUZ11A
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BUZ11A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V < 0.055 Ω 27 A TYPICAL RDS(on) = 0.048 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW GATE CHARGE 3 HIGH CURRENT CAPABILITY 2 1 175oC OPERATING TEMPERATURE APPLICATIONS TO-220 HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING SOLENOID AND RELA

 1.3. buz11al.pdf Size:332K _siemens

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1.4. buz11a.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

BUZ11A
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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11A ·FEATURES ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 0.055Ω(Max) DS(on) ·Avalanche rugged technology ·High current capability ·175℃ Operating Temperature ·High speed switching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·High current,high speed switching ·Solenoid and relay drivers

Otros transistores... BUP67 , BUP68 , BUP69 , BUP70 , BUP71 , BUZ10 , BUZ10A , BUZ11 , IRFP460 , BUZ11FI , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 , BUZ25 , BUZ32 , BUZ35 .

 

 
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