BUZ24 Todos los transistores

 

BUZ24 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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Principales características: BUZ24

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ24

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ24 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.06 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

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