BUZ24 Todos los transistores

 

BUZ24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUZ24 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ24

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ24FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.06(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

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History: FQA140N10 | VN2106 | BR12N60 | BL60N25-W | 2SK3354S | 2SJ198 | IPT015N10N5

 

 
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