HAT2153RJ Todos los transistores

 

HAT2153RJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HAT2153RJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HAT2153RJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  renesas
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HAT2153RJ

201041NEC

 6.1. Size:397K  renesas
hat2153r.pdf pdf_icon

HAT2153RJ

201041NEC

 9.1. Size:104K  renesas
hat2169n.pdf pdf_icon

HAT2153RJ

HAT2169N Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Preliminary Rev.0.01 May.29.2005 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.1 m typ. (at VGS = 10 V) Outline LFPAK-i5 6 7 8D D D D1(S)42(S)G 8(D)3(S)1, 2, 3 Source7(D)4(G)4 Gate6(D

 9.2. Size:124K  renesas
rej03g0177 hat2132hds.pdf pdf_icon

HAT2153RJ

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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History: APT10M11JVFR

 

 
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