BUZ25 Todos los transistores

 

BUZ25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

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BUZ25 Datasheet (PDF)

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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ25FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.1(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers for

 0.1. Size:124K  siemens
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BUZ 255Not for new designSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 255 200 V 13 A 0.24 TO-220 AB C67078-S1406-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 31 C 13Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 52Avalanche current,

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ255FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sourc

Otros transistores... BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , BUZ11FI , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 , IRFB4110 , BUZ32 , BUZ35 , BUZ36 , BUZ41A , BUZ42 , BUZ45 , BUZ45A , BUZ46 .

 

 
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