BUZ25 Todos los transistores

 

BUZ25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ25

 

BUZ25 Datasheet (PDF)

1.1. buz255.pdf Size:124K _update_mosfet

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BUZ 255 Not for new design SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 255 200 V 13 A 0.24 Ω TO-220 AB C67078-S1406-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 31 °C 13 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 52 Avalanche current,

1.2. buz25.pdf Size:274K _st2

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Liste

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