BUZ41A Todos los transistores

 

BUZ41A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ41A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M
 

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BUZ41A Datasheet (PDF)

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BUZ41A

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BUZ41A

BUZ 41 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 41 A 500 V 4.5 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1306-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 36 C 4.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 18Avalanche current,limited by Tjmax

 ..3. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ41A

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ41AFEATURESSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay drivers and d

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