BUZ42 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ42
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
BUZ42 Datasheet (PDF)
buz42.pdf

BUZ 42SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 42 500 V 4 A 2 TO-220 AB C67078-S1311-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C 4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 16Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4Ava
buz42.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ42FEATURES4A, 500VSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay dr
Otros transistores... BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 , BUZ25 , BUZ32 , BUZ35 , BUZ36 , BUZ41A , 7N65 , BUZ45 , BUZ45A , BUZ46 , BUZ50A , BUZ50A-220M , BUZ50A-220SM , BUZ50A-220TM , BUZ50ASM .
History: IRFB4212PBF | 2SK4146-S19-AY | IPP80N06S4L-07 | 2SK3634 | HY3712PM | MMN6680 | AP72T03GJ-HF
History: IRFB4212PBF | 2SK4146-S19-AY | IPP80N06S4L-07 | 2SK3634 | HY3712PM | MMN6680 | AP72T03GJ-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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