HAT3031R Todos los transistores

 

HAT3031R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HAT3031R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HAT3031R datasheet

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HAT3031R

Data Sheet HAT3038R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1375EJ0301 Rev.3.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 3 2 G G 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3 N

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HAT3031R

Data Sheet HAT3037R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1374EJ0501 Rev.5.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 3 2 G G 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3 N

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HAT3031R

Data Sheet HAT3036R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1373EJ0501 Rev.5.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 G G 3 2 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3

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