HITJ0303MP Todos los transistores

 

HITJ0303MP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HITJ0303MP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPAK
 

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HITJ0303MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  renesas
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HITJ0303MP

Preliminary Datasheet HITJ0303MP R07DS0478EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 54 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.6 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. D

 7.1. Size:82K  renesas
 r07ds0477ej hitj0302mp.pdf pdf_icon

HITJ0303MP

Preliminary Datasheet HITJ0302MP R07DS0477EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 138 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 9.1. Size:86K  renesas
 r07ds0476ej hitj0204mp.pdf pdf_icon

HITJ0303MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0475ej hitj0203mp.pdf pdf_icon

HITJ0303MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

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