HITK0202MP Todos los transistores

 

HITK0202MP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HITK0202MP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPAK
 

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HITK0202MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  renesas
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HITK0202MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 7.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf pdf_icon

HITK0202MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 7.2. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf pdf_icon

HITK0202MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 7.3. Size:84K  renesas
 r07ds0481ej hitk0203mp.pdf pdf_icon

HITK0202MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1. Source2 2. Gate3. Drain1

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History: AM7363P | IRFB4610PBF

 

 
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