BUZ50B Todos los transistores

 

BUZ50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ50B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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BUZ50B Datasheet (PDF)

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BUZ 50 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 B 1000 V 2 A 8 TO-220 AB C67078-A1307-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2Pulsed drain current IDpuls

 0.1. Size:17K  semelab
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BUZ50A220MBUZ50B220MMECHANICAL DATADimensions in mmMOS POWER N-CHANNELENHANCEMENT MODE10.6 (0.42)4.6 (0.18)TRANSISTORS0.8(0.03)3.70 Dia. NomFEATURES HERMETIC TO220 ISOLATED METALPACKAGE1 2 3 CECC SCREENING OPTIONS JAN LEVEL SCREENING OPTIONSAPPLICATIONS:Hermetically sealed version for high relia-1.0 bility power linear and switching appli

 9.1. Size:203K  siemens
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BUZ 50 CSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.3Pulsed drain current IDp

 9.2. Size:207K  siemens
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BUZ 50 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.5Pulsed drain current IDp

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