BUZ50B-220M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ50B-220M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220M
- Selección de transistores por parámetros
BUZ50B-220M Datasheet (PDF)
buz50a-220m buz50b-220m.pdf

BUZ50A220MBUZ50B220MMECHANICAL DATADimensions in mmMOS POWER N-CHANNELENHANCEMENT MODE10.6 (0.42)4.6 (0.18)TRANSISTORS0.8(0.03)3.70 Dia. NomFEATURES HERMETIC TO220 ISOLATED METALPACKAGE1 2 3 CECC SCREENING OPTIONS JAN LEVEL SCREENING OPTIONSAPPLICATIONS:Hermetically sealed version for high relia-1.0 bility power linear and switching appli
buz50b.pdf

BUZ 50 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 B 1000 V 2 A 8 TO-220 AB C67078-A1307-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2Pulsed drain current IDpuls
buz50c.pdf

BUZ 50 CSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.3Pulsed drain current IDp
buz50a.pdf

BUZ 50 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.5Pulsed drain current IDp
Otros transistores... BUZ46 , BUZ50A , BUZ50A-220M , BUZ50A-220SM , BUZ50A-220TM , BUZ50ASM , BUZ50A-TO220M , BUZ50B , IRF4905 , BUZ50B-220SM , BUZ50BSM , BUZ50B-TO220M , BUZ60 , BUZ60B , BUZ63 , BUZ64 , BUZ71 .
History: TPA65R180D | FDB0260N1007L | IRLI3803PBF | DMN2020LSN | STP60NF06LFP | SQ4532AEY
History: TPA65R180D | FDB0260N1007L | IRLI3803PBF | DMN2020LSN | STP60NF06LFP | SQ4532AEY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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