BUZ50B-220M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ50B-220M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: TO220M

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BUZ50B-220M datasheet

 ..1. Size:17K  semelab
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BUZ50B-220M

BUZ50A 220M BUZ50B 220M MECHANICAL DATA Dimensions in mm MOS POWER N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) TRANSISTORS 0.8 (0.03) 3.70 Dia. Nom FEATURES HERMETIC TO220 ISOLATED METAL PACKAGE 1 2 3 CECC SCREENING OPTIONS JAN LEVEL SCREENING OPTIONS APPLICATIONS Hermetically sealed version for high relia- 1.0 bility power linear and switching appli

 8.1. Size:199K  siemens
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BUZ50B-220M

BUZ 50 B SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 50 B 1000 V 2 A 8 TO-220 AB C67078-A1307-A4 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 25 C 2 Pulsed drain current IDpuls

 9.1. Size:203K  siemens
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BUZ50B-220M

BUZ 50 C SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 25 C 2.3 Pulsed drain current IDp

 9.2. Size:207K  siemens
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BUZ50B-220M

BUZ 50 A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 25 C 2.5 Pulsed drain current IDp

Otros transistores... BUZ46, BUZ50A, BUZ50A-220M, BUZ50A-220SM, BUZ50A-220TM, BUZ50ASM, BUZ50A-TO220M, BUZ50B, IRF1010E, BUZ50B-220SM, BUZ50BSM, BUZ50B-TO220M, BUZ60, BUZ60B, BUZ63, BUZ64, BUZ71