BUZ50B-220M Todos los transistores

 

BUZ50B-220M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ50B-220M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M
 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ50B-220M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ50B-220M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  semelab
 buz50a-220m buz50b-220m.pdf pdf_icon

BUZ50B-220M

BUZ50A220MBUZ50B220MMECHANICAL DATADimensions in mmMOS POWER N-CHANNELENHANCEMENT MODE10.6 (0.42)4.6 (0.18)TRANSISTORS0.8(0.03)3.70 Dia. NomFEATURES HERMETIC TO220 ISOLATED METALPACKAGE1 2 3 CECC SCREENING OPTIONS JAN LEVEL SCREENING OPTIONSAPPLICATIONS:Hermetically sealed version for high relia-1.0 bility power linear and switching appli

 8.1. Size:199K  siemens
 buz50b.pdf pdf_icon

BUZ50B-220M

BUZ 50 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 B 1000 V 2 A 8 TO-220 AB C67078-A1307-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2Pulsed drain current IDpuls

 9.1. Size:203K  siemens
 buz50c.pdf pdf_icon

BUZ50B-220M

BUZ 50 CSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.3Pulsed drain current IDp

 9.2. Size:207K  siemens
 buz50a.pdf pdf_icon

BUZ50B-220M

BUZ 50 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 25 C 2.5Pulsed drain current IDp

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BUZ46 , BUZ50A , BUZ50A-220M , BUZ50A-220SM , BUZ50A-220TM , BUZ50ASM , BUZ50A-TO220M , BUZ50B , IRF1010E , BUZ50B-220SM , BUZ50BSM , BUZ50B-TO220M , BUZ60 , BUZ60B , BUZ63 , BUZ64 , BUZ71 .

History: SDF06N60 | AP10N70P-A | FQA28N15

 

 
Back to Top

 


 
.