BUZ50B-220M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ50B-220M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220M
Búsqueda de reemplazo de BUZ50B-220M MOSFET
BUZ50B-220M PDF Specs
buz50a-220m buz50b-220m.pdf
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BUZ 50 C SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 50 C 1000 V 2.3 A 6 TO-220 AB C67078-A1307-A5 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 25 C 2.3 Pulsed drain current IDp... See More ⇒
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BUZ 50 A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 50 A 1000 V 2.5 A 5 TO-220 AB C67078-A1307-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 1000 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 1000 Continuous drain current ID A TC = 25 C 2.5 Pulsed drain current IDp... See More ⇒
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Liste
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