RJK03B9DPA Todos los transistores

 

RJK03B9DPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJK03B9DPA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm
   Paquete / Cubierta: WPAK
 

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RJK03B9DPA Datasheet (PDF)

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RJK03B9DPA

Preliminary Datasheet RJK03B9DPA REJ03G1791-0320Silicon N Channel Power MOS FET Rev.3.20Power Switching May 12, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 8.3 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DC-

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RJK03B9DPA

Preliminary Datasheet RJK03B7DPA REJ03G1789-0210Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.10Power Switching May 12, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 6.0 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DC-A

 8.2. Size:92K  renesas
 rej03g1790 rjk03b8dpads.pdf pdf_icon

RJK03B9DPA

Preliminary Datasheet RJK03B8DPA REJ03G1790-0210Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.10Power Switching May 12, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 7.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DC-A

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History: SIHA25N50E | 2SK2074 | APQ110SN5EA | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | CXDM3069N

 

 
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