BUZ80AFI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUZ80AFI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ80AFI

BUZ80AFI Datasheet (PDF)

..1. Size:197K st
buz80afi.pdf

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

8.1. Size:107K st
buz80a.pdf

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

8.2. Size:176K siemens
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BUZ 80ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80A 800 V 3 A 3 TO-220 AB C67078-A1309-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 800 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 800Continuous drain current ID ATC = 50 C 3Pulsed drain current IDpulsTC =

8.3. Size:229K inchange semiconductor
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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80AFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sourc

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Liste

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