2SK4198FG Todos los transistores

 

2SK4198FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK4198FG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F3SG
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK4198FG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  sanyo
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2SK4198FG

2SK4198FGOrdering number : ENA1369ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4198FGApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=1.8 (typ.) Input capacitance Ciss=360pF (typ.) 10V drive Repetitive avalanche guaranteeSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings Un

 6.1. Size:267K  sanyo
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2SK4198FG

2SK4198FSOrdering number : ENA1370BSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4198FSApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=1.8 (typ.) Input capacitance Ciss=360pF (typ.) 10V drive Repetitive avalanche guaranteeSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings Un

 7.1. Size:159K  sanyo
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2SK4198FG

2SK4198LSOrdering number : ENA1171ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4198LSApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=1.8 (typ.) Input capacitance Ciss=360pF(typ.) 10V drive Repetitive avalanche guaranteeSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings Uni

 7.2. Size:280K  inchange semiconductor
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2SK4198FG

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4198LSFEATURESDrain Current : I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.34(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

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History: SWP068R08ET | BUK7Y153-100E | STP11NM60N | MMFTN3018W | VN2110 | R6046FNZ1 | IMW120R140M1H

 

 
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