BMS3003 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BMS3003
   Código: MS3003
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 285 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220ML

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BMS3003

BMS3003 Datasheet (PDF)

..1. Size:306K sanyo
bms3003.pdf

BMS3003Ordering number : ENA1907SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBMS3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.0m (typ.) Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60

..2. Size:713K onsemi
bms3003.pdf

8.1. Size:305K sanyo
bms3004.pdf

BMS3004Ordering number : ENA1908SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBMS3004ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75

8.2. Size:264K onsemi
bms3004.pdf

Ordering number : ENA1908BBMS3004P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 68A, 8.5m , TO-220F-3SGFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveTO-220F-3SGSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source V

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Liste

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