BXL4001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BXL4001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0124 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BXL4001

BXL4001 Datasheet (PDF)

..1. Size:275K 1
bxl4001.pdf

BXL4001Ordering number : ENA1459SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBXL4001ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Motor drive. Avalanche resistance guarantee. 10V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 75 VGate-to-

8.1. Size:214K onsemi
bxl4004-1e bxl4004.pdf

Ordering number : EN9050ABXL4004N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com40V, 100A, 3.9m , TO-220-3LFeatures ON-resistance RDS(on)1=3m (typ.) Input capacitance Ciss=8200pF (typ.) 4.5V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 40 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: