CPH3350 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CPH3350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
Búsqueda de reemplazo de CPH3350 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CPH3350 datasheet
cph3350.pdf
CPH3350 Ordering number ENA0151 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3350 Applications Features Ultrahigh-speed switching 1.8V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --20 V Gate-to-Source Voltage VG
cph3356.pdf
CPH3356 Ordering number ENA1124 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3356 Applications Features 1.8V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 1
cph3355.pdf
CPH3355 Ordering number ENA1905 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3355 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=120m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Sou
cph3351.pdf
CPH3351 Ordering number ENA1880 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3351 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=190m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Sou
Otros transistores... 5LP01S , 5LP01SP , 5LP01SS , BBL4001 , BMS3003 , BMS3004 , BMS4003 , BXL4001 , AO3401 , CPH3356 , CPH3360 , CPH5617 , CPH6354 , CPH6355 , ECH8420 , ECH8656 , ECH8671 .
History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344
