DKG1020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DKG1020
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DKG1020

DKG1020 Datasheet (PDF)

..1. Size:460K sanken-ele
dkg1020.pdf

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC DKG1020 Aug. 2011 Features Package TO252 Low on-state resistance Built-in gate protection diode SMD PKG Applications DC / DC converter Key Specifications Switching V(BR)DSS =100V (ID=100uA) R =52 m max. (VGS=10V, ID=10A) DS(ON)Internal Equivalent Circuit R =59 m max. (VGS=4.5V, ID=10A)

..2. Size:265K inchange semiconductor
dkg1020.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DKG1020FEATURESDrain Current I =70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose ap

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FTK138U

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: