FKP330C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FKP330C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FKP330C

FKP330C Datasheet (PDF)

..1. Size:319K sanken-ele
fkp330c.pdf

N-Channel MOS FET FKP330C July. 2007 Features Package---FM100 (TO-3P Full Mold) Low on-resistance Low input capacitance Avalanche energy guarantee Applications PDP driving High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 330

..2. Size:265K inchange semiconductor
fkp330c.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FKP330CFEATURESDrain Current I =30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =330V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 63m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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Liste

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