R5016ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5016ANX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de R5016ANX MOSFET
R5016ANX Datasheet (PDF)
r5016anx.pdf

R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8(1)Baseguaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Drive circuit
r5016anj.pdf

10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6) P
r5016fnj.pdf

R5016FNJDatasheetNch 500V 16A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
r5016fnx.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType
Otros transistores... R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , IRFB4227 , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND , R5207AND , R6004CND , R6006AND .
History: SQM120N02-1M3L | FIR120N055PG | IRFNG40 | PTA04N100 | ST2342 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF
History: SQM120N02-1M3L | FIR120N055PG | IRFNG40 | PTA04N100 | ST2342 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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