R6012FNX Todos los transistores

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R6012FNX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6012FNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 37 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 890 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.39 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FM

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R6012FNX Datasheet (PDF)

1.1. r6012fnx.pdf Size:1244K _rohm

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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6012FNX ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 ?3.2 4.5 2.8 ?Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 1.2 1.3 2) Low on-resistance. 0.8 3) Fast switching speed. 2.54 2.54 0.75 2.6 4) Gate-source voltage (1) (2) (3) ? VGSS garanteed to be 30V . 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. ?

5.1. r6012anx.pdf Size:1019K _rohm

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R6012ANX Nch 600V 12A Power MOSFET Datasheet ?Outline TO-220FM VDSS 600V RDS(on) (Max.) 0.42? ID 12A PD 50W (1)(2)(3) ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; R

5.2. r6012anj.pdf Size:321K _rohm

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10V Drive Nch MOSFET R6012ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.54 0.4 0.78 4) Drive circuits can be simple. 2.7 5.08 5) Parallel use is easy. (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain (3) Source Each lead has same dime

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