R6015ANJ Todos los transistores

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R6015ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6015ANJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS_LPTL

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R6015ANJ Datasheet (PDF)

1.1. r6015anj.pdf Size:322K _rohm

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10V Drive Nch MOSFET R6015ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.24 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 5) Parallel use is easy. (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain (3) Source Each lead has same dim

3.1. r6015anz.pdf Size:1150K _rohm

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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6015ANZ ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 ?3.6 ?Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 2.0 2.0 3.0 3) High ESD. 0.75 (1) (2) (3) (1) Gate 0.9 ? Application (2) Drain 5.45 5.45 (3) Source Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Bulk Type Code - ?1 Basic

3.2. r6015anx.pdf Size:1344K _rohm

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R6015ANX Nch 600V 15A Power MOSFET Datasheet ?Outline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.3? ID 15A PD (1)(2)(3) 50W ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; Ro

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