R6020ANZ Todos los transistores

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R6020ANZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6020ANZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1660 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PF

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R6020ANZ Datasheet (PDF)

1.1. r6020anz.pdf Size:1153K _rohm

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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6020ANZ ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 ?3.6 ?Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 2.0 2.0 3.0 3) High ESD. 0.75 (1) Gate (1) (2) (3) 0.9 (2) Drain ? Application 5.45 5.45 (3) Source Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Bulk Type Code - ?1 Bas

3.1. r6020anj.pdf Size:231K _rohm

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10V Drive Nch MOSFET R6020ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.24 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. 2.54 0.4 5) Parallel use is easy. 0.78 2.7 5.08 (1) Base (Gate) (1) (2) (3) (2) Collector (Drain) Applications (3

3.2. r6020anx.pdf Size:1704K _rohm

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R6020ANX Nch 600V 20A Power MOSFET Datasheet ?Outline TO-220FM VDSS 600V RDS(on) (Max.) 0.22? ID 20A PD 50W (1)(2)(3) ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; Ro

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