RCX080N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX080N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.46 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RCX080N25
RCX080N25 Datasheet (PDF)
1.1. rcx080n25.pdf 
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX080N25 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 ?3.2 4.5 2.8 ?Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) High ESD. 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Bulk Type Code - ?1 Basic ordering unit (pieces) 500 RC
2.1. rcx080n20.pdf Size:1119K _rohm
Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX080N20 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 ?3.2 4.5 2.8 ?Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Bulk Type Code - ?1 Basic ordering unit (pieces) 500 R
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