RCX120N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX120N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de RCX120N25 MOSFET
RCX120N25 Datasheet (PDF)
rcx120n25.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX120N25 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.81.2Features1.31) Low on-resistance.0.82) High speed switching.2.54 2.54 0.75 2.63) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V(1) (2) (3) 4) High Power Package (TO-220FM). Application Inner circuitSwitching1
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isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N25FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 235m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
rcx120n20.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX120N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un
rcx120n20.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N20FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
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History: IRFB830 | SIS862DN | FDB86563F085 | JSM3622 | RU5H18Q | IRFR2407 | IRFAE50
History: IRFB830 | SIS862DN | FDB86563F085 | JSM3622 | RU5H18Q | IRFR2407 | IRFAE50



Liste
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