RCX120N25 Todos los transistores

 

RCX120N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX120N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

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RCX120N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  rohm
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RCX120N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX120N25 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.81.2Features1.31) Low on-resistance.0.82) High speed switching.2.54 2.54 0.75 2.63) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V(1) (2) (3) 4) High Power Package (TO-220FM). Application Inner circuitSwitching1

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX120N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N25FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 235m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:1180K  rohm
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RCX120N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX120N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
rcx120n20.pdf pdf_icon

RCX120N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N20FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , 75N75 , RCX160N20 , RCX330N25 , RCX450N20 , RHK005N03 , RHP020N06 , RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 .

History: IRFB830 | SIS862DN | FDB86563F085 | JSM3622 | RU5H18Q | IRFR2407 | IRFAE50

 

 
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