RHK005N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RHK005N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Empaquetado / Estuche: SMT3
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RHK005N03 Datasheet (PDF)
1.1. rhk005n03.pdf 
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RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol : KU Packaging specifications and
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