RJK005N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJK005N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMT3

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RJK005N03 Datasheet (PDF)

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RJK005N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.95 0.950.151.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Drain Abbreviated symbol : KV Packaging spec

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RJK005N03RJK005N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RJK005N03FRARJK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.95 0.950.151.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Dr

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History: CI47N65

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