RP1E070XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RP1E070XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RP1E070XN

RP1E070XN Datasheet (PDF)

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rp1e070xn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

8.1. Size:394K rohm
rp1e075rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RP1E075RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode TR2Basic ordering unit (pieces) 1000(1) SourceRP1E075

9.1. Size:286K rohm
rp1e090rptr.pdf

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

9.2. Size:288K rohm
rp1e090rp.pdf

9.3. Size:1066K rohm
rp1e090xn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E090XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

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rp1e050rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E050RP 2(1)

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rp1e050rptr.pdf