RP1E070XN Todos los transistores

 

RP1E070XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RP1E070XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6
 

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RP1E070XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  rohm
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RP1E070XN

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

 8.1. Size:394K  rohm
rp1e075rp.pdf pdf_icon

RP1E070XN

4V Drive Pch MOSFET RP1E075RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode TR2Basic ordering unit (pieces) 1000(1) SourceRP1E075

 9.1. Size:286K  rohm
rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E070XN

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 9.2. Size:288K  rohm
rp1e090rp.pdf pdf_icon

RP1E070XN

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

Otros transistores... RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RP1A090ZP , STP65NF06 , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN .

History: IRF8788PBF | WMM18N50C4 | SL120N03R

 

 
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