RQ1E050RP Todos los transistores

 

RQ1E050RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ1E050RP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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RQ1E050RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  rohm
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RQ1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2TypeCode TR(1) Source(2) SourceBa

 0.1. Size:577K  rohm
rq1e050rptr.pdf pdf_icon

RQ1E050RP

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)31mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea

 9.1. Size:344K  rohm
rq1e070rp.pdf pdf_icon

RQ1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol :UE ApplicationSwitching Inner circuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 300

 9.2. Size:1239K  rohm
rq1e075xn.pdf pdf_icon

RQ1E050RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E075XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping

Otros transistores... RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , BS170 , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 .

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