RQ1E050RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ1E050RP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT8
- Selección de transistores por parámetros
RQ1E050RP Datasheet (PDF)
rq1e050rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2TypeCode TR(1) Source(2) SourceBa
rq1e050rptr.pdf

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)31mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea
rq1e070rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol :UE ApplicationSwitching Inner circuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 300
rq1e075xn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E075XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316
History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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