RSD050N10 Todos los transistores

 

RSD050N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD050N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
 

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RSD050N10 Datasheet (PDF)

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RSD050N10

4V Drive Nch MOSFET RSD050N10Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage

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RSD050N10

AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N10FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications

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RSD050N10

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specif

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RSD050N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ

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History: IRF540Z | SM6F24NSUB | IRLR8103VTR

 

 
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