RT1E040RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT1E040RP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TSST8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RT1E040RP
RT1E040RP Datasheet (PDF)
rt1e040rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package. (1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol : UG ApplicationSwitching Inner curcuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package Taping2TypeCode TR(1) DrainBasic ordering
rt1e060xn.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSST8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (
rt1e050rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TR2Basic ordering unit (pieces)
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History: SQM100N04-2M7
History: SQM100N04-2M7
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