RT1E040RP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT1E040RP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TSST8
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RT1E040RP datasheet
rt1e040rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UG Application Switching Inner curcuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping 2 Type Code TR (1) Drain Basic ordering
rt1e060xn.pdf
Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSST8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (
rt1e050rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR 2 Basic ordering unit (pieces)
Otros transistores... RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP, RT1C060UN, IRF1407, RT1E050RP, RT1E060XN, RTF015N03, RTF016N05, RTF025N03, RTL035N03, RTQ020N03, RTQ020N05
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Liste
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