RT1E040RP Todos los transistores

 

RT1E040RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT1E040RP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

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RT1E040RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  rohm
rt1e040rp.pdf

RT1E040RP
RT1E040RP

4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package. (1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol : UG ApplicationSwitching Inner curcuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package Taping2TypeCode TR(1) DrainBasic ordering

 9.1. Size:1138K  rohm
rt1e060xn.pdf

RT1E040RP
RT1E040RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSST8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (

 9.2. Size:310K  rohm
rt1e050rp.pdf

RT1E040RP
RT1E040RP

4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TR2Basic ordering unit (pieces)

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