RTR040N03 Todos los transistores

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RTR040N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTR040N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.034 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

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RTR040N03 Datasheet (PDF)

1.1. rtr040n03.pdf Size:80K _rohm

RTR040N03
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RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol : QV (

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