RTR040N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RTR040N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RTR040N03

RTR040N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:80K rohm
rtr040n03.pdf

RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET 2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : QV

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0.2. Size:940K rohm
rtr040n03fra.pdf

RTR040N03FRARTR040N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03RTR040N03FRA External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimen

0.3. Size:894K cn vbsemi
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RTR040N03TLwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

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Liste

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