RXH090N03 Todos los transistores

 

RXH090N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RXH090N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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RXH090N03 Datasheet (PDF)

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RXH090N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRXH090N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SOP8(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic ordering unit (pieces

Otros transistores... RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , IRF540 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 .

History: 2SK246 | AP9468GS

 

 
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