RXH090N03 Todos los transistores

 

RXH090N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RXH090N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP8

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RXH090N03 datasheet

 ..1. Size:1068K  rohm
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RXH090N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXH090N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (4) 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic ordering unit (pieces

Otros transistores... RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , IRF540 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 .

History: SMG2319P | DMP4013LFG | 2SK1638

 

 

 

 

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