BUZ92 Todos los transistores

 

BUZ92 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ92
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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BUZ92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  siemens
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BUZ92

BUZ 92SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 92 600 V 3.3 A 3 TO-220 AB C67078-S1343-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 3.3Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 13Avalanche current,limited by Tjmax IAR 3.

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ92

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ92FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

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