BUZ92 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ92

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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BUZ92 datasheet

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BUZ92

BUZ 92 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 92 600 V 3.3 A 3 TO-220 AB C67078-S1343-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C 3.3 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 13 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 3.

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ92

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ92 FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

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