KP501V Todos los transistores

KP501V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP501V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: KT26

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros