KP504G Todos los transistores

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KP504G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP504G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 10 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT26

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KP504G Datasheet (PDF)

5.1. kp504.pdf Size:183K _integral

KP504G
KP504G

КП504 n-канальный МОП транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использо

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