KP511A Todos los transistores

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KP511A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP511A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 350 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 22 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT26

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KP511A Datasheet (PDF)

5.1. kp511.pdf Size:183K _integral

KP511A
KP511A

КП511 n-канальный МОП транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быс

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