KP523B Todos los transistores

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KP523B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP523B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 14 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.34 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT26

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KP523B Datasheet (PDF)

5.1. kp523.pdf Size:167K _integral

KP523B
KP523B

КП523 n-канальный МОП транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерит

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