KP737B Todos los transistores

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KP737B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP737B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 74 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT282

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KP737B Datasheet (PDF)

5.1. kp737.pdf Size:203K _integral

KP737B
KP737B

КП737 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предна

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