KP745B Todos los transistores

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KP745B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP745B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT282

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KP745B Datasheet (PDF)

5.1. kp745.pdf Size:217K _integral

KP745B
KP745B

КП745 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источника

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