C2T213 Todos los transistores

 

C2T213 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: C2T213
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: MACROH
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros