KP751V1 Todos los transistores

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KP751V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP751V1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT90

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KP751V1 Datasheet (PDF)

5.1. kp751.pdf Size:216K _integral

KP751V1
KP751V1

КП751 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предна

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